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puissance de sortie: | ≥ 100W | Tension de travail: | 24 ~ 32V, 12 ~ 18V |
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Retard: | Moins de 20 États-Unis | VSWR d'entrée: | ≤2 (charge 50Ω) |
Sortie VSWR: | ≤1,5 (charge 50Ω) | OEM et ODM: | Soutien |
Mettre en évidence: | Amplificateurs à micro-ondes de 100 W,Amplificateurs à micro-ondes TDM,Amplificateur à haute puissance de 100 W rf |
Attribut | Valeur |
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Puissance de sortie | ≥ 100W |
Tension de travail | 24 ~ 32V, 12 ~ 18V |
Retard | Moins de 20 États-Unis |
Entrée vswr | ≤2 (charge 50Ω) |
Sortie VSWR | ≤1,5 (charge 50Ω) |
OEM et ODM | Soutien |
Numéro de modèle | HCTD6090-100 |
Gamme de fréquences | 402 ~ 480 MHz, 908 ~ 928 MHz (plus de fréquences disponibles) |
Courant de travail | 0.8~1a@12.5~18v, 8.0~12a@24~32v |
Gain de transmission | ≥25 ± 1 dB (10 ~ 50 dB peuvent être personnalisés) |
Planéité dans le groupe | ≤ ± 0,5 dB (valeur typique ± 0,25 dB) |
Gain de réception | ≤16 dB ± 2DB |
Puissance d'entrée maximale | 31 dbm |
Temps de commutation RF | À temps ≤ 5US / Off-temps ≤ 1US |
Amplificateur de puissance Isolement de réception d'amplificateur | ≥ 45 dB (valeur typique: 48 - 58 dB) |
Connecteur RF | SMA ou MCX |
Température de travail | -25 ~ + 85 ℃ |
Taille | 60 * 90 * 15 mm (sans compter le radiateur et le connecteur) |
Poids | 140g |
Personne à contacter: Miss. Angela
Téléphone: +8613714176982